ASML y ZEISS investigan una nueva generación de litografía para semiconductores llamada Hyper-NA, un paso que busca superar las capacidades de las máquinas EUV actuales. La propuesta figura en un estudio revisado por pares y, según Reuters, podría estar lista dentro de aproximadamente diez años.
La nueva apuesta tras High-NA
Para entender el salto, primero hay que mirar a High-NA, la generación de máquinas EUV que ya empieza a entrar en producción. Intel la utiliza en determinadas capas de algunos procesadores Panther Lake, mientras que SK Hynix instaló uno de estos equipos en Corea del Sur en 2025. Samsung maneja el mismo horizonte y TSMC contempla su adopción hacia 2030, según Reuters.
No es una transición rápida. Estas máquinas pueden costar hasta 400 millones de dólares, y su incorporación a las fábricas no cierra los retos técnicos. Hyper-NA surge precisamente como el siguiente paso de una carrera que sigue abierta en paralelo a la llegada de High-NA a la producción industrial.
Qué cambia con la apertura numérica
La diferencia central está en la apertura numérica, un parámetro que mide la capacidad del sistema óptico para recoger y enfocar la luz. High-NA trabaja con 0,55, mientras que la nueva propuesta aspira a alcanzar al menos 0,75. De acuerdo con la documentación técnica de ZEISS, eso podría llevar de unos 8 a unos 5 nanómetros de half-pitch, una medida que equivale a la mitad de la distancia de repetición de un patrón periódico.
La base tecnológica, sin embargo, seguiría siendo la misma: espejos de precisión extrema para dirigir la luz ultravioleta extrema, sin lentes convencionales. El estudio indica que ZEISS ya tendría capacidad para fabricar los espejos necesarios y que ASML podría reutilizar su fuente de luz sin modificaciones. La propuesta también apunta a un equipo apenas más grande que High-NA, cuyo tamaño se aproxima al de un autobús de dos pisos.
Los límites técnicos que todavía quedan
La mayor apertura numérica trae su propio costo: reduce la profundidad de foco, lo que deja menos margen para mantener bien enfocada la imagen sobre la oblea. A eso se suman los efectos que pueden introducir las máscaras donde se definen los circuitos y las exigencias de los materiales sensibles a la luz.
Según el estudio, la estrategia de Hyper-NA busca seguir mejorando la resolución de la litografía EUV antes de cambiar su fuente de luz. Pero esa vía también tendría un límite: para avanzar más allá, probablemente haría falta utilizar luz con una longitud de onda menor, una posibilidad que todavía se estudia en el ámbito académico.
