Samsung Electronics estaría desarrollando dos nuevas variantes de memoria flash NAND, zNAND-T y zNAND-I, para atender cargas de trabajo de inteligencia artificial con necesidades distintas, de acuerdo con un reporte de ZDNET Korea. La información las presenta como parte de una familia que ya incluye zNAND-O.
Dos variantes para tareas diferentes
Según el reporte, zNAND-T estaría orientada al ancho de banda de lectura y escritura, mientras que zNAND-I priorizaría las operaciones aleatorias. La distinción sugiere que Samsung buscaría separar, en vez de mezclar en un solo producto, las necesidades de transferencia continua y los accesos frecuentes a bloques pequeños de datos.
La información no incluye pruebas de rendimiento, capacidades, precios ni fechas de lanzamiento. Por ahora, el desarrollo descrito debe leerse como una propuesta de diseño y no como una confirmación de disponibilidad comercial.
zNAND-T y el uso de matrices apiladas
El reporte señala que zNAND-T emplearía matrices NAND apiladas mediante TSV, sigla en inglés para vías que conectan verticalmente los componentes de un circuito. Esa arquitectura se mencionó como parte de un enfoque centrado en el ancho de banda, aunque no se ofrecieron detalles técnicos adicionales sobre su configuración o sus posibles mejoras.
La nota también la compara con HBF, una propuesta atribuida a SanDisk y SK hynix. En una comunicación conjunta sobre la memoria de alto ancho de banda, ambas compañías informaron el inicio de la estandarización global de esa solución. El material disponible no permite concluir cuál de las tecnologías ofrecería mayor velocidad, eficiencia o capacidad.
zNAND-I y la descarga de KV Cache
zNAND-I, según el mismo reporte, se enfocaría en IOPS, es decir, en la cantidad de operaciones de entrada y salida por segundo. Ese diseño estaría pensado para escenarios de acceso aleatorio y para casos como la descarga de KV Cache.
El texto explica que KV Cache es una memoria intermedia vinculada al procesamiento de modelos de IA y a la gestión de información durante la generación de respuestas. Sin embargo, no precisa cómo funcionaría esa descarga ni qué mejoras concretas aportaría la variante.
Samsung no detalló cómo se diferenciaría zNAND-O de las otras dos variantes, más allá de describirla como una solución NAND de alto rendimiento basada en V-NAND. Con la información publicada, las tres propuestas aparecen como una familia de productos orientados a usos distintos dentro de la infraestructura de IA.
