# ASML y Zeiss preparan Hyper-NA para ir más allá de EUV > La nueva tecnología aún está en estudio y apunta a mejorar la litografía de chips en unos diez años. High-NA apenas empieza a llegar a las fábricas. Por Osmel Chourio Larreal · 9 de octubre de 2026 · Tecnología ![ASML y Zeiss preparan Hyper-NA para ir más allá de EUV](https://cdn.panorama.onl/uploads/28e46db3b25ac7e4-114.webp) ASML y ZEISS investigan una nueva generación de litografía para semiconductores llamada Hyper-NA, un paso que busca superar las capacidades de las máquinas EUV actuales. La propuesta figura en un estudio revisado por pares y, según [Reuters](https://www.reuters.com/business/asml-zeiss-say-next-generation-chipmaking-technology-may-be-ready-10-years-2026-10-08/), podría estar lista dentro de aproximadamente diez años. Claves - Hyper-NA es el siguiente paso que estudian ASML y ZEISS para ir más allá de la EUV actual. - La apertura numérica pasaría de 0,55 en High-NA a al menos 0,75 en la nueva propuesta. - ZEISS calcula que eso permitiría bajar de unos 8 a unos 5 nanómetros de *half-pitch*. ## La nueva apuesta tras High-NA Para entender el salto, primero hay que mirar a High-NA, la generación de máquinas EUV que ya empieza a entrar en producción. Intel la utiliza en determinadas capas de algunos procesadores Panther Lake, mientras que SK Hynix instaló uno de estos equipos en Corea del Sur en 2025. Samsung maneja el mismo horizonte y TSMC contempla su adopción hacia 2030, según [Reuters](https://www.reuters.com/world/asia-pacific/asml-work-with-major-chipmakers-to-use-latest-tools-larger-chips-2026-09-08/). No es una transición rápida. Estas máquinas pueden costar hasta 400 millones de dólares, y su incorporación a las fábricas no cierra los retos técnicos. Hyper-NA surge precisamente como el siguiente paso de una carrera que sigue abierta en paralelo a la llegada de High-NA a la producción industrial. ## Qué cambia con la apertura numérica La diferencia central está en la apertura numérica, un parámetro que mide la capacidad del sistema óptico para recoger y enfocar la luz. High-NA trabaja con 0,55, mientras que la nueva propuesta aspira a alcanzar al menos 0,75. De acuerdo con la [documentación técnica de ZEISS](https://www.euvlitho.com/2025/2025%20EUVL%20and%20Source%20Workshop%20Abstract%20Book.pdf), eso podría llevar de unos 8 a unos 5 nanómetros de *half-pitch*, una medida que equivale a la mitad de la distancia de repetición de un patrón periódico. 0,75 apertura numérica que aspira a alcanzar Hyper-NA La base tecnológica, sin embargo, seguiría siendo la misma: espejos de precisión extrema para dirigir la luz ultravioleta extrema, sin lentes convencionales. El estudio indica que ZEISS ya tendría capacidad para fabricar los espejos necesarios y que ASML podría reutilizar su fuente de luz sin modificaciones. La propuesta también apunta a un equipo apenas más grande que High-NA, cuyo tamaño se aproxima al de un autobús de dos pisos. ## Los límites técnicos que todavía quedan La mayor apertura numérica trae su propio costo: reduce la profundidad de foco, lo que deja menos margen para mantener bien enfocada la imagen sobre la oblea. A eso se suman los efectos que pueden introducir las máscaras donde se definen los circuitos y las exigencias de los materiales sensibles a la luz. Según el estudio, la estrategia de Hyper-NA busca seguir mejorando la resolución de la litografía EUV antes de cambiar su fuente de luz. Pero esa vía también tendría un límite: para avanzar más allá, probablemente haría falta utilizar luz con una longitud de onda menor, una posibilidad que todavía se estudia en el ámbito académico. --- **Fuente:** https://panorama.onl/tecnologia/asml-y-zeiss-preparan-hyper-na-para-ir-mas-alla-de-euv-20261009-0000.html Publicado por Panorama Online — contenido de libre lectura; se permite citar con atribución y enlace a la URL original.